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该IGBT模块具有75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用标准封装形式，便于散热与安装，适用于电源转换、电机控制及能源管理等领域，提供稳定可靠的开关性能。
