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该IGBT模块具有50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用高可靠封装工艺，适用于电源变换、智能电网、新能源控制等领域，提供稳定高效的开关性能。