15T65SD_TO-220F_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220F
类别: IGBT管/模块
最小包装: 50/管装
参数1: 电流IC:15A
参数2: 电压VCE:650V
参数3: VCE(Sat):1.79V
参数4: 二极管正向电流:1.68A
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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本IGBT管/模块具备15A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适合中高功率电力电子系统应用。导通时集射极饱和电压(VCE(sat))为1.79V,有助于控制导通损耗。内部续流二极管可承受15A的正向电流(IF),其正向压降(Vf)为1.68V,表现出良好的导通性能与恢复特性。该器件结合稳定的封装工艺,提供可靠的电气绝缘与散热能力,适用于对效率、耐压及长期稳定性有要求的高频开关电源、变频设备及智能电网相关装置。

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