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该IGBT模块具有160A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于高功率密度应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.37V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持160A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.33V，具备良好的续流能力。模块采用稳定封装结构，适合在多种电力变换系统中使用，提供可靠的开关性能和热稳定性。