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该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.45V，表现出良好的续流能力与热稳定性。模块采用标准封装设计，适用于各类高要求电力电子设备中的功率变换与控制单元。
