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本产品为IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可支持最大50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.45V，表现出优异的导通性能。该器件可广泛应用于电源转换、电机驱动及精密电子设备中，提供高效、稳定的功率控制解决方案。
