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该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中等功率场景下的高频开关应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，在保证性能的同时有助于降低导通损耗。内置续流二极管可承受最大40A正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.8V，具备稳定的反向恢复特性。模块采用优化的封装结构，散热性能良好，适用于对能效与稳定性有一定要求的电力电子系统设计。