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该IGBT模块具有30A的集电极电流（Ic）和1350V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压等级的功率应用环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效控制导通损耗。内置续流二极管支持30A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升系统能效表现。模块设计符合标准封装规范，便于安装与散热管理，适用于电源变换、电机控制等高性能电力电子系统方案。
