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该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),可适应较高功率密度的设计需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V,有助于降低导通状态下的功率损耗。内部续流二极管支持40A正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,提升了整体能效与可靠性。适用于多种电力电子变换系统,满足高效、稳定工作的技术要求。