APT50GT120B2RDQ2G-HXY_TO-247P_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247P
类别: IGBT管/模块
最小包装: 30/管装
参数1: 电流IC:50A
参数2: 电压VCE:1200V
参数3: VCE(Sat):1.9V
参数4: 二极管正向电流:2.7A
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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本IGBT管/模块具备50A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),可满足较高功率需求的应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V,在导通状态下能有效控制能量损耗。内部集成的二极管支持50A正向电流(IF),正向压降(Vf)为2.7V,具备良好的导通性能。该器件适用于电力变换装置、高效电机驱动及高频电源系统等场合,为高可靠性开关应用提供技术支持。

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