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该IGBT模块具有40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率、高电压的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置的续流二极管具备40A的正向电流（IF）能力和1.85V的正向压降（Vf），在高频开关和能量回馈场合表现稳定。模块采用标准封装设计，便于安装与散热，广泛用于电源变换、新能源设备及精密电机控制等电力电子领域。
