RGT00TS65DGC11-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: IGBT管/模块
最小包装: 30/管装
参数1: 电流IC:50A
参数2: 电压VCE:650V
参数3: VCE(Sat):1.65V
参数4: 二极管正向电流:1.45A
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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本产品为高性能IGBT管/模块,具备50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),可支持较高功率应用场景。在导通状态下,集射极饱和电压(VCE(sat))仅为1.65V,有助于降低导通损耗。内置二极管可承受50A的正向电流(IF),其正向压降(Vf)为1.45V,表现出良好的能效特性。该器件适用于需要高效能、高稳定性的电力电子系统,如能源转换装置及精密控制设备,提供可靠的开关与导通性能,满足复杂电路对动态响应和热稳定性的要求。

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