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该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可满足高功率场合下的开关需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，有助于降低导通损耗。内置二极管具备40A的正向电流(IF)能力，正向压降(Vf)为1.85V，提升了整体能效与稳定性。模块采用标准封装设计，适用于多种高电压、大电流应用场景，如智能电网设备、新能源变换系统及精密电源管理装置等。
