-------<点击了解更多 + 购买>-------
本产品为IGBT模块,具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),适合高电压和较高电流环境下运行。在导通状态下,集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V,有助于降低功率损耗并提高系统效率。内置二极管可承受40A的正向电流(IF),其正向压降(Vf)为1.85V,可在高频开关和整流应用中提供稳定性能。该模块适用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备设计,如智能电网、新能源变换装置及精密电机控制等领域。