HSGL160N60UFDTU_TO-264_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-264
类别: IGBT管/模块
最小包装: 24/管装
参数1: 电流IC:160A
参数2: 电压VCE:600V
参数3: VCE(Sat):1.4V
参数4: 二极管正向电流:1.4A
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款IGBT(绝缘栅双极晶体管)具有600V的集射极击穿电压(VCES),可在高达160A的集电极电流(Ic)下工作,最大功率(Pd)为250W。其栅极阈值电压(Vge(th))在15V、80A条件下仅为2.6V,确保了低驱动损耗和快速开关性能。适用于高性能电源管理、电机控制以及其他需要高电压和大电流处理能力的应用场合。

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