LESD8LS5.0T5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: 电流Ipp:4A
参数2: 电压VRWM:5V
参数3: CJ:0.4pF
参数4: 类型:Uni单向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该静电和浪涌保护器件采用Uni单向设计,具备4A的峰值脉冲电流(IPP)能力,可快速响应并抑制瞬态电压干扰。其反向工作电压(VRWM)为5V,适用于各类低电压信号线路的防护需求。器件寄生电容(CJ)低至0.4pF,显著降低对高频信号的干扰,提升传输完整性。单通道(LINE:1通道)结构设计紧凑,便于在空间受限的电路布局中实现高效保护,广泛应用于消费类电子、通信模块及便携式设备中。

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