PTVSHC3N18VU-HXY_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN2X2-3L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: 电流Ipp:140A
参数2: 电压VRWM:18V
参数3: CJ:900pF
参数4: 类型:Uni单向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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本产品为静电和浪涌保护器件,适用于需要高可靠性和稳定性的电路防护场合。其主要参数包括:最大通流能力(IPP)为140A,反向工作电压(VRWM)为18V,结电容(CJ)为900pF,支持2通道(LINE)保护,采用单向(Uni)设计。该器件能够有效吸收和泄放瞬态过电流,防止电压尖峰对后级电路造成损害,广泛应用于通信设备、消费电子及精密仪器等领域中的信号线路保护。

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