PTVSHC3N4V5B-HXY_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN2X2-3L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: 电流Ipp:240A
参数2: 电压VRWM:4.5V
参数3: CJ:1000pF
参数4: 类型:Bi双向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该静电和浪涌保护器件采用双向设计,适用于多种电路中对瞬态电压的高效抑制。其最大峰值电流(IPP)为240A,具备出色的能量吸收能力,可有效保护电路免受静电和浪涌干扰。工作反向电压(VRWM)为4.5V,适用于低电压信号线路的防护需求。结电容(CJ)为1000pF,在确保保护性能的同时兼顾信号完整性。该器件支持2通道线路保护,适合用于通信接口、便携设备及精密电子系统中的多路信号线防护,提供快速响应与长期稳定性。

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