ESD56241D15-3/TR_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN2X2-3L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: 电流Ipp:180A
参数2: 电压VRWM:15V
参数3: CJ:900pF
参数4: 类型:Uni单向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该静电和浪涌保护器件专为高灵敏度电子系统设计,具备出色的瞬态电压抑制性能。其最大峰值脉冲电流IPP为180A,可高效吸收静电放电及外部电磁干扰产生的浪涌能量;反向工作电压VRWM为15V,适用于多种中低压电路的保护需求。器件结电容CJ为900pF,对信号传输影响小,适合高速数据接口应用。采用2通道结构,支持多线路同步保护,提升整体稳定性。单向(Uni)设计有效阻止反向电压损害敏感元件,广泛应用于通信模块、消费类电子产品及精密测量设备中,提供可靠且紧凑的电路保护方案。

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