ESD56241D12-3/TR_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN2X2-3L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: 电流Ipp:180A
参数2: 电压VRWM:12V
参数3: CJ:1300pF
参数4: 类型:Uni单向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该静电和浪涌保护器件适用于高精度电子系统,具备优异的瞬态电压抑制能力。其最大峰值电流IPP为180A,能有效吸收静电放电及外部浪涌干扰;反向工作电压VRWM为12V,适合多种低压电路应用场景。器件结电容CJ为1300pF,确保信号完整性不受明显影响。采用2通道设计,支持多路信号线同时保护,结构紧凑且布局灵活。单向(Uni)设计可防止反向电压对敏感电路造成损害,广泛用于通信接口、便携设备及精密仪器中,提供稳定可靠的电路保护方案。

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