ESD56241D07-3/TR_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN2X2-3L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: 电流Ipp:240A
参数2: 电压VRWM:7.5V
参数3: CJ:1700pF
参数4: 类型:Uni单向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该静电和浪涌保护器件采用Uni单向设计,具备240A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力,能够快速响应并泄放高强度瞬态电压能量。其反向工作电压(VRWM)为7.5V,适用于中低电压信号线路的防护需求,1700pF的结电容(CJ)特性使其更适合用于低频或对电容敏感的电路场景。器件支持双通道(LINE:2通道)布局,可应用于通信接口、消费类设备及多路信号系统的线路保护,提供稳定且高效的电路防护性能。

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