LESD8L3.3CT5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: 电流Ipp:4A
参数2: 电压VRWM:3.3V
参数3: CJ:0.25pF
参数4: 类型:Bi双向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该静电和浪涌保护器件具备4A的峰值脉冲电流(IPP)能力,有效抑制瞬态过电压,保障电路安全。其反向工作电压为3.3V(VRWM),适用于低电压信号线路的防护需求。器件内部结电容仅为0.25pF,确保高速信号传输过程中不会引入明显干扰。采用单通道(LINE:1通道)双向(Bi-directional)设计,兼容双向信号线路保护场景,广泛应用于通信设备、便携式电子产品及精密电子仪器中,为敏感电路提供可靠防护。

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