LESD8D12T5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: 电流Ipp:4A
参数2: 电压VRWM:12V
参数3: CJ:28pF
参数4: 类型:Uni单向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此款静电和浪涌保护器件,适用于各类电子设备的防护。它具备4安培的最大脉冲峰值电流IPP,能够有效应对瞬时过电压情况。反向工作电压VRWM设定为12伏特,在标准操作条件下提供稳定的性能而不导通。电容CJ为28皮法,适合用于需要一定信号完整性的1通道线路保护中。单向(Uni-directional)设计使得该元件在电路中的应用更加灵活,简化了设计复杂度。这款保护器件能够在不影响正常通信的情况下,可靠地吸收并抑制可能对内部电路造成损害的瞬态电压波动,确保连接设备的安全与稳定运行。

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