LESD11LH5.0CT5G_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN0603-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 15000/圆盘
参数1: 电流Ipp:2A
参数2: 电压VRWM:5V
参数3: CJ:3pF
参数4: 类型:Bi双向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此静电和浪涌保护器件为Bi双向类型,设计用于在敏感电路中提供精确的过电压保护。其IPP额定值为2A,确保能够有效应对瞬时电流冲击。VRWM为5V,表明该设备可在不超过此工作电压的情况下维持正常运作,保障后端电路的安全。电容CJ低至3pF,有助于保持信号完整性,尤其适用于高频环境中的1通道线路保护。这种保护元件能够在不干扰原始信号的前提下,迅速响应并抑制异常电压,保护连接设备免受潜在损害。适用于各种需要稳定可靠保护方案的电子装置。

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