LESD8L5.0N3T6G_DFN1006-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-3L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: 电流Ipp:1A
参数2: 电压VRWM:5V
参数3: CJ:0.7pF
参数4: 类型:Uni单向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此静电和浪涌保护器件为Uni单向类型,适用于电路中的瞬态电压抑制。其IPP最大峰值脉冲电流为1安培,适合需要较小保护电流的应用场景。额定反向工作电压VRWM为5伏特,确保在常规操作电压下稳定工作。极低的寄生电容CJ仅为0.7皮法,对信号完整性影响极小,非常适合高速数据传输线路或高频应用中使用。2通道设计允许同时保护多条线路免受静电放电(ESD)和瞬时过压事件的影响。该保护元件是保障电子设备可靠性和稳定性的重要组成部分,尤其适用于对空间和性能有严格要求的电路设计中。

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