LESD8L5.0T5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: 电流Ipp:4A
参数2: 电压VRWM:5V
参数3: CJ:0.6pF
参数4: 类型:Uni单向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此款静电和浪涌保护器件,专为敏感电子设备提供稳健的防护性能。其最大脉冲峰值电流IPP可达4安培,工作电压VRWM为5伏特,确保在面对突发电压波动时能够有效保护电路免受损害。结电容CJ低至0.6皮法,有助于维持信号的完整性,特别适合于对频率响应要求严格的场景。该保护元件采用单向(Uni-directional)设计,适用于需要单通道保护的应用中,能精准地响应过电压事件,同时保持极低的电容负载,不影响线路性能。

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