LESD8LH5.0CT5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: 电流Ipp:2.5A
参数2: 电压VRWM:5V
参数3: CJ:2.5pF
参数4: 类型:Bi双向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此款静电和浪涌保护器件,采用TVS/ESD技术设计,提供精准的过电压保护。其IPP(峰值脉冲电流)为2.5安培,确保在面对瞬时高电流冲击时仍能稳定工作。击穿电压VRWM设定为5伏特,适用于需维持信号完整性的低电压应用场景。电容CJ仅为2.5皮法,对信号的影响极小,适合高速数据线或敏感电路的保护。作为单通道双向保护元件,它能够在正反两个方向上有效抑制突波,保障连接设备的安全运行,特别适用于需要可靠保护电子接口的设计中。

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