LKE05N-B_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: 电流Ipp:8A
参数2: 电压VRWM:5V
参数3: CJ:18pF
参数4: 类型:Bi双向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备IPP最大脉冲峰值电流8安培的能力,能有效抵御瞬时过电流冲击。其反向工作电压VRWM为5伏特,适合用于需要低电压保护的电路环境中。器件的电容CJ为18皮法,有助于在保持信号完整性的同时提供必要的保护功能。采用双向(Bi-directional)设计,可对来自两个方向的过电压事件提供防护。单通道特性使得该器件易于集成到各种电子设备中,适用于需要紧凑和高效保护方案的应用场景,确保系统在遭遇电气突变时仍能维持稳定性能。

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