PESDHC2FD5VBH_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: 电流Ipp:30A
参数2: 电压VRWM:5V
参数3: CJ:60pF
参数4: 类型:Bi双向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此静电和浪涌保护器件属于Bi双向类型,特别设计用于提供高效过电压保护。其IPP(峰值脉冲电流)高达30A,能够承受强烈的瞬时电流冲击而不损坏。VRWM(最大工作电压)为5V,确保在低电压环境中稳定运行。该器件的极间电容(CJ)为60pF,在不影响信号完整性的前提下,适用于各种需要保护的信号线路。采用单通道(LINE)设计,简化了集成过程,方便应用于多种电子设备中。本元件能在不干扰正常信号传输的情况下,有效抵御静电放电(ESD)和瞬态电压波动,为连接设备提供必要的保护,保证系统的安全与稳定操作。

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