CESD1006NC7VB_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: 电流Ipp:8A
参数2: 电压VRWM:7V
参数3: CJ:20pF
参数4: 类型:Bi双向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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此款静电和浪涌保护器件,设计用于敏感电子设备的接口保护。其最大持续工作电压(VRWM)为7V,确保在常规工作电压环境下稳定运行。双向(Bi-directional)结构允许它在正反两个方向上提供有效的过电压保护。当遇到瞬时高能量冲击时,该器件能承受最高达8A的峰值脉冲电流(IPP),有效保护电路免受损害。电容值(CJ)仅为20皮法(pF),有助于保持信号的完整性,尤其适用于高速数据线。1通道的设计简化了集成过程,适合应用于各种需要可靠保护的电子线路中。

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