VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: 电流Ipp:4A
参数2: 电压VRWM:3.3V
参数3: CJ:0.3pF
参数4: 类型:Bi双向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别,采用Bi双向设计,提供单通道保护。它拥有4A的IPP峰值脉冲电流承受能力,适用于应对突发的电压浪涌。其工作电压(VRWM)为3.3V,确保在常规操作电压下保持断开状态,同时能在异常电压出现时迅速响应。该器件的电容值(CJ)仅为0.3pF,对信号的影响几乎可以忽略不计,非常适合高速数据传输或精密电子装置中的应用。它能够有效地保护电路免受静电放电和其他瞬态过电压事件的影响,保障设备的稳定运行与数据传输的安全性。

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