PESD5V0U1BL-N_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: 电流Ipp:2.5A
参数2: 电压VRWM:5V
参数3: CJ:2.5pF
参数4: 类型:Bi双向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计,适用于对瞬态电压抑制有严格要求的场合。其IPP/A(峰值脉冲电流)为2.5A,能够有效应对突发的高能冲击;VRWM/V(工作电压)设定为5V,确保在正常工作状态下稳定运行;CJ/pF(结电容)仅为2.5pF,表明它具有低寄生电容特性,适合于高速数据线路的保护。单线结构使其易于集成到各种电子设备中,提供可靠的过压防护。

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