ESDBM3V3A1_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: 电流Ipp:9A
参数2: 电压VRWM:3.3V
参数3: CJ:15pF
参数4: 类型:Bi双向
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该静电和浪涌保护器件为TVS/ESD类型,具有9A的峰值脉冲电流(IPP)处理能力和3.3V的最大工作电压(VRWM),适用于需要双向保护的应用场景。其电容值(CJ)为15pF,表明它对信号完整性影响较小,适合高速数据传输线路的保护。此元件设计用于单线(LINE:1)配置,能够为敏感电子设备提供有效的瞬态电压抑制,防止因过电压或静电放电造成的损坏。

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