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这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有高效能的特点，最大漏源电流（ID）为96安培，适用于大电流的应用场景。在10伏特下，其导通电阻（RDSON）低至6.2毫欧姆，显著降低了功率损耗。器件的最大漏源电压（VDSS）为80伏特，可以提供可靠的高电压操作保障。栅源电压（VGS）的最大值为20伏特，确保了广泛的驱动兼容性。该MOSFET适用于高功率密度的设计，如服务器电源供应、数据中心基础设施以及高性能计算设备中的电源管理和信号调节。
