HDTD114ECT116_SOT-23_数字晶体管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SOT-23
类别: 数字晶体管
最小包装: 3000/圆盘
参数1: 晶体管类型:NPN
参数2: 集射极击穿电压(Vceo):50V
参数3: 集电极电流(Ic):100mA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款数字晶体管属于NPN型,具有稳定的电气性能,适用于多种电路设计。其集射极击穿电压(Vceo)达到50V,能够在中低压环境下提供可靠的开关作用或信号放大功能。该晶体管的最大集电极电流(Ic)为100mA,适合驱动小型负载或者作为信号级放大元件,在音频处理、通信设备以及消费电子产品的小信号控制中有着广泛的应用。

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