KSD882YSTU-HXY_TO-126_三极管(BJT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-126
类别: 三极管(BJT)
最小包装: 500/袋装
参数1: IC:3A
参数2: VCEO:30V
参数3: TYPE:NPN
参数4: HFE:200-300
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该NPN型三极管额定集电极电流(IC)为3A,集电极-发射极击穿电压(VCEO)达30V,具备较高的电压承受能力,适用于中等功率放大与开关电路。其直流电流增益(HFE)在200至300之间,表现出稳定的电流放大特性。器件可用于电源控制、电机驱动、信号切换及模拟放大电路,适合在消费类电子产品、家用设备、通信装置及便携式电子系统中作为核心开关或放大元件,满足对性能与可靠性要求较高的应用场景。

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