FFSB0865A-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:8A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.42V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该款碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降(VF)为1.42V。其基于碳化硅材料的特性,展现出优异的开关性能与高温工作稳定性,反向恢复时间极短,能量损耗低。该器件适用于高效率电源转换场合,如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器等,能够有效提升系统整体能效,并支持更高频率的工作模式,有助于减小外围滤波元件的体积与系统整体尺寸。

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