PCDD1065G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252N-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 2500/圆盘
参数1: IF:10A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.37V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为10A,反向重复峰值电压(VR)达650V,正向压降(VF)低至1.37V,具备优异的导通效率。得益于碳化硅材料特性,器件具有极快的开关速度与极低的反向恢复电荷,可有效减少开关损耗。其高温工作性能稳定,适用于高功率密度电源设计,常见于高效能开关电源、大功率充电设备、可再生能源发电系统中的逆变与整流单元,以及不间断电源和高密度DC-DC转换模块,有助于提升整体系统效率并降低热管理复杂度。

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