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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源耐压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为110mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定驱动与可靠关断。采用宽禁带半导体材料，具有优异的高温工作性能和开关特性，适用于高功率密度电源系统。常见于高效直流-交流逆变装置、高压直流变换拓扑及高频开关电源模块中，可提升系统效率并减少散热设计负担。
