-------<点击了解更多 + 购买>-------

本产品为1200V耐压的N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），典型导通电阻为160mΩ，可持续通过18A漏极电流。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高频开关性能与耐高温能力，有助于提升系统整体效率并减少散热设计复杂度。适用于多种高效电源转换场合，如高效率电源适配器、储能系统中的功率调节模块以及精密电子设备的电源管理单元，可为追求高可靠性与高效率的电路设计方案提供支持。