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本产品为碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有优异的高压与高电流工作性能。器件漏极电流ID为18A，漏源击穿电压VDSS达1200V，导通电阻RDON为160mΩ，具备良好的导通损耗与开关损耗平衡特性。适用于高效率功率转换设备，在高电压工作环境与中等功率应用场景中表现出色，如新能源系统、精密电源、智能控制模块及高性能电子设备中均有广泛应用。
