STF30N65M5-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220F
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 50/管装
参数1: ID:24A
参数2: VDSS:650V
参数3: RDON:110mR
参数4: VGS:VGS:-4/+18VV
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和24A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至110mΩ,适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至!8V,确保可靠的开关控制与稳定性。基于碳化硅材料的特性,器件具有优异的高频开关性能和高温工作能力,可有效降低系统热损耗。典型应用包括高密度电源转换器、可再生能源发电设备中的逆变电路、不间断电源系统以及高要求的开关电源模块,适合对功率密度和能效有严格要求的场景。

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