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本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有1200V的漏源击穿电压（VDSS）和18A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至160mΩ，表现出优异的导电性能与低损耗特性。基于碳化硅材料的优势，该器件具备高热导率和耐高温能力，适用于高频开关和高效能转换场景，如电源转换模块、储能系统、智能家电及能源管理设备中，满足对效率与可靠性要求较高的技术应用需求。
