PCDD0865G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252N-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 2500/圆盘
参数1: IF:8A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.4V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式单管结构,额定平均正向整流电流为8A,最高可承受650V反向重复峰值电压,正向导通压降为1.4V。得益于碳化硅材料的宽禁带特性,器件具备优异的高温工作能力与高热导性能,同时实现快速反向恢复与低导通损耗。其电气特性适合应用于高效率直流-直流转换器、不间断电源模块及高密度电源适配器中,尤其在高频开关环境下可显著降低能量损耗,提升系统整体能效与可靠性,适用于对空间布局与散热设计有较高要求的先进电力电子装置。

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