B1D10065F_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:10A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.51V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为10A,反向重复峰值电压(VR)达650V,适用于中高功率密度的电力转换设计。其正向导通压降(VF)为1.51V,结合碳化硅材料的低反向恢复电荷特性,可显著降低导通与开关损耗。器件具备优异的高温稳定性和热导性能,支持高频、高效运行,适用于服务器电源、通信基站供电系统、储能逆变单元及高效率开关电源模块等场景,能够在较宽温度范围内维持可靠电气性能,满足对能效与散热要求较高的电子电力应用需求。

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