-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，可减少导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，器件具有优异的耐高温性能和高频开关能力，适用于高效率的功率变换拓扑，如PFC电路、DC-DC转换器及逆变电源，能够满足对系统效率、功率密度和热管理有较高要求的应用需求。