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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源耐压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为110mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高频开关能力与高温工作稳定性，适用于高功率密度电源系统。常见应用场景包括高效开关电源、大功率DC-DC转换器、储能系统中的逆变单元以及对能效和散热有较高要求的电力电子装置。
