P3D06006E2_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252N-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 2500/圆盘
参数1: IF:6A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.36V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为6A,反向重复电压(VR)达650V,适用于中高压功率转换应用。其正向导通压降(VF)典型值为1.36V,具备较低的导通损耗,有助于提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强,该器件支持高频开关操作,同时减少反向恢复损耗。典型应用包括高效开关电源、不间断电源系统、光伏逆变器中的整流模块以及高功率密度电源适配器,适合对热性能、转换效率和长期运行可靠性有较高要求的电力电子电路设计。

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