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该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至!8V，具备良好的栅极可靠性与开关稳定性。基于碳化硅材料特性，器件支持高频工作，同时降低开关损耗与热耗散。典型应用于高效开关电源、高压DC-DC变换器、光伏逆变系统及高密度电源模块，适合对功率密度与能效有较高要求的场景。