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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压（VDSS）和24A连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定的栅极驱动与器件保护。碳化硅材料赋予其优异的高频开关性能、高温工作能力及抗热失控特性。适用于高效率电源转换装置，如大功率开关电源、可再生能源逆变系统、储能设备中的功率级电路以及对功率密度和热管理要求较高的电力电子应用。